最后，模拟研究了“双沟道”结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

绝缘栅双极晶体管。沟道增强模式，高速开关。

这样在源和漏之间就产生了一个导电的型沟道。

藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置，对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。

沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。